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V-III ratio effect on cubic GaN grown by RF plasma assisted gas source MBE
Li Wei Sung
*
, Hao Hsiung Lin,
Chih Ta Chia
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「V-III ratio effect on cubic GaN grown by RF plasma assisted gas source MBE」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
growth
100%
gases
100%
gallium nitrides
100%
plasma
100%
mbe
100%
films
80%
droplets
40%
deposition
20%
investigations
20%
substrates
20%
photoluminescence
20%
diagrams
20%
raman effect
20%
gallium arsenides
20%
optical properties
20%
Physics
Ratios
100%
Growth
100%
Gaseous State
100%
Regimes
80%
Droplet
40%
Deposition
20%
Boundaries
20%
Temperature
20%
Photoluminescence
20%
Diagrams
20%
Substrates
20%
Raman Spectra
20%
Crystallinity
20%
Optical Properties
20%
Material Science
Gas
100%
Droplet
100%
Molecular Beam Epitaxy
100%
Temperature
50%
Photoluminescence
50%
Optical Property
50%
Gallium Arsenide
50%
Tennessine
50%
Chemistry
Liquid Film
100%
Gas
100%
Plasma
100%
Crystallinity
25%
Photoluminescence
25%
Reaction Temperature
25%
Rate
25%
Scattering
25%
Optical Property
25%
Engineering
Ratio Effect
100%
Source Gas
100%
Optical Quality
50%