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Tunneling induced electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structure on silicon
Ching Fuh Lin
*
, Cheewee Liu, Miin Jang Chen,
Ming Hung Lee
, I. Cheng Lin
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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指紋
指紋
深入研究「Tunneling induced electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structure on silicon」主題。共同形成了獨特的指紋。
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INIS
oxides
100%
tunneling
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metals
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silicon
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semiconductor materials
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electroluminescence
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voltage
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devices
25%
emission
25%
luminescence
25%
applications
12%
energy
12%
industry
12%
porous materials
12%
oxidation
12%
electrons
12%
fabrication
12%
wavelengths
12%
states (energy)
12%
energy levels
12%
thermal equilibrium
12%
Material Science
Silicon
100%
Electroluminescence
100%
Metal Oxide
100%
Oxide Semiconductor
100%
Semiconductor Structure
100%
Devices
33%
Oxide
33%
Luminescence
33%
Electronics
33%
Material
16%
Metal
16%
Optoelectronics
16%
Semiconductor Material
16%
Nanocrystalline
16%
Oxidation Reaction
16%
Porous Silicon
16%
Engineering
Emit Light
16%
Equilibrium Situation
16%
Thermal Equilibrium
16%
Radiative Transition
16%
Lower Energy State
16%
Electronics Industry
16%