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Threading dislocation induced low frequency noise in strained-Si nMOSFETs
W. C. Hua
*
,
M. H. Lee
, P. S. Chen, M. J. Tsai, Chee W. Liu
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
32
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Threading dislocation induced low frequency noise in strained-Si nMOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemical Compounds
Threading Dislocation
100%
Field Effect
17%
Voltage
12%
Engineering & Materials Science
Power spectral density
8%
Field effect transistors
8%
Degradation
5%