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Thickness dependence of electrical conductivity and thermo-electric power of Bi
2.0
Te
2.7
Se
0.3
/Bi
0.4
Te
3.0
Sb
1.6
thermo-electric devices
M. H. Liao
*
, K. C. Huang, F. A. Tsai, C. Y. Liu, C. Lien,
M. H. Lee
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
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同行評審
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Thickness dependence of electrical conductivity and thermo-electric power of Bi
2.0
Te
2.7
Se
0.3
/Bi
0.4
Te
3.0
Sb
1.6
thermo-electric devices」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Devices
100%
Electrical Conductivity
100%
Film Thickness
28%
Temperature
14%
Thermoelectrics
14%
Thin Films
71%
INIS
bismuth tellurides
71%
electric power
100%
power factor
14%
Chemistry
Seebeck Effect
16%