Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si 1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2 gate dielectric

C. C. Yeo*, B. J. Cho, M. H. Lee, C. W. Liu, K. J. Choi, T. W. Lee

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

1 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si 1-xGex/Si nMOSFETs with HfO2 gate dielectric」主題。共同形成了獨特的指紋。

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