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Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si
1-x
Ge
x
/Si nMOSFETs with HfO
2
gate dielectric
C. C. Yeo
*
, B. J. Cho,
M. H. Lee
, C. W. Liu, K. J. Choi, T. W. Lee
*
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研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Thermal stability study of Si cap/ultrathin Ge/Si and strained Si/Si
1-x
Ge
x
/Si nMOSFETs with HfO
2
gate dielectric」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
stability
100%
surfaces
100%
dielectrics
100%
devices
66%
diffusion
66%
annealing
66%
substrates
66%
thickness
66%
performance
33%
comparative evaluations
33%
strains
33%
leakage current
33%
roughness
33%
junctions
33%
mosfet
33%
Engineering
Surface Region
50%
Tensile Strain
50%
Material Science
Tensile Strain
50%