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學生論文
The understanding of gate capacitance matching on achieving a high performance NC MOSFET with sufficient mobility
C. K. Chiang
, P. Husan
, Y. C. Lou
, F. L. Li
, E. R. Hsieh
,
C. H. Liu
, Steve S. Chung
機電工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
總覽
指紋
指紋
深入研究「The understanding of gate capacitance matching on achieving a high performance NC MOSFET with sufficient mobility」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
performance
100%
mobility
100%
capacitance
100%
mosfet
100%
dipoles
66%
ferroelectric materials
33%
scattering
33%
design
16%
polarization
16%
annealing
16%
Material Science
Capacitance
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Ferroelectric Material
33%
Annealing
16%
Engineering
Gate Capacitance
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Annealing Temperature
33%
Computer Science
Gate Capacitance
100%
Annealing Temperature
33%
Agricultural and Biological Sciences
Gates
100%
Grains
25%