The role of oxygen vacancies on switching characteristics of TiOx resistive memories
Z. W. Zheng, H. H. Hsu, P. C. Chen, C. H. Cheng*
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）