The reliability study and device modeling for p-HEMT microwave power transistors

S. L. Liu*, H. M. Chang, T. Chang, H. L. Kao, C. H. Cheng, A. Chin

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

指紋

深入研究「The reliability study and device modeling for p-HEMT microwave power transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。

Engineering & Materials Science