The interface properties of SiO2/strained-si with carbon incorporation surface channel MOSFETs

M. H. Lee*, S. T. Chang, S. Maikap, C. Y. Yu, C. W. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

原文英語
主出版物標題Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest
出版狀態已發佈 - 2006
對外發佈
事件Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Princeton, NJ, 美国
持續時間: 2006 五月 152006 五月 17

出版系列

名字Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest
2006

其他

其他Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006
國家/地區美国
城市Princeton, NJ
期間2006/05/152006/05/17

ASJC Scopus subject areas

  • 電腦科學(全部)
  • 電氣與電子工程
  • 電子、光磁材料
  • 原子與分子物理與光學

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