The impacts of contact etch stop layer thickness and gate height on channel stress in strained N-metal oxide semiconductor field effect transistors

K. C. Lin, M. J. Twu*, R. H. Deng, C. H. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

2 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「The impacts of contact etch stop layer thickness and gate height on channel stress in strained N-metal oxide semiconductor field effect transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Physics

Engineering