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The Demonstration of 3-D Bi
2.0
Te
2.7
Se
0.3
/Bi
0.4
Te
3.0
Sb
1.6
Thermoelectric Devices by Ionized Sputter System
M. H. Liao
*
, K. C. Huang, W. J. Su, S. C. Chen,
M. H. Lee
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「The Demonstration of 3-D Bi
2.0
Te
2.7
Se
0.3
/Bi
0.4
Te
3.0
Sb
1.6
Thermoelectric Devices by Ionized Sputter System」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
devices
100%
sputtering
100%
values
25%
efficiency
12%
manufacturing
12%
p-n junctions
12%
thickness
12%
electricity
12%
electrical conductivity
12%
figure of merit
12%
thermoelectric materials
12%
power factor
12%
Chemistry
Thermoelectricity
100%
Device
75%
Number
25%
Structure
12%
Reaction Temperature
12%
Thickness
12%
Electricity
12%
Thermoelectric Materials
12%
Figure of Merit
12%
Seebeck Effect
12%
Material Science
Devices
100%
Thermoelectrics
100%
Temperature
12%
Electrical Conductivity
12%
Physics
Operating Temperature
50%
Seebeck Effect
50%