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The analysis of the process-induced channel stress in N-MOSFET
M. J. Twu
, R. H. Deng, Z. H. Chen, M. C. Tsai, K. C. Lin,
C. H. Liu
機電工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
總覽
指紋
指紋
深入研究「The analysis of the process-induced channel stress in N-MOSFET」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
mosfet
100%
performance
40%
layers
40%
spacers
40%
oxides
40%
height
20%
comparative evaluations
20%
devices
20%
width
20%
residual stresses
20%
thickness
20%
dielectrics
20%
nitrides
20%
Physics
Field Effect Transistor
100%
Performance
40%
Oxide
40%
Width
20%
Dielectrics
20%
Material Science
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Oxide
40%
Devices
20%
Dielectric Material
20%
Nitride Compound
20%
Engineering
Internal Stress
20%