The analysis of channel stress induced by CESL in N-MOSFET

M. J. Twu, W. C. Kao, K. C. Lin, K. D. Chen, Y. T. Kua, C. H. Liu

研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章

指紋

深入研究「The analysis of channel stress induced by CESL in N-MOSFET」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Physics

Material Science