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Structural optimizations of silicon based NMOSFETs with a sunken STI pattern by using a robust stress simulation methodology
Chang Chun Lee
*
,
Chuan Hsi Liu
, Hsien Chie Cheng
, Rong Hao Deng
*
此作品的通信作者
機電工程學系
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Structural optimizations of silicon based NMOSFETs with a sunken STI pattern by using a robust stress simulation methodology」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
design
100%
simulation
100%
optimization
100%
silicon
100%
devices
50%
mosfet
50%
carrier mobility
50%
performance
25%
comparative evaluations
25%
dimensions
25%
resolution
25%
surfaces
25%
length
25%
shape
25%
depth
25%
engineering
25%
layers
25%
mobility
25%
oxides
25%
transistors
25%
curves
25%
etching
25%
metals
25%
loading
25%
semiconductor materials
25%
field effect transistors
25%
finite element method
25%
Material Science
Silicon
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Carrier Mobility
66%
Transistor
33%
Finite Element Method
33%
Factorial Design
33%
Surface (Surface Science)
33%
Engineering
Shallow Trench Isolation
100%
Design Factor
28%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
28%
Carrier Mobility
28%
Nodes
14%
Device Performance
14%
Mobility Enhancement
14%
Influencing Factor
14%
Critical Dimension
14%
Response Surface
14%
Finite Element Analysis
14%
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (Mosfets)
14%