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Strained Si
1-x
C
x
field effect transistor on SiGe substrate
S. T. Chang
*
,
M. H. Lee
, S. C. Lu, C. W. Liu
*
此作品的通信作者
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Strained Si
1-x
C
x
field effect transistor on SiGe substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
devices
100%
substrates
100%
field effect transistors
100%
germanium silicides
100%
comparative evaluations
33%
dimensions
33%
distribution
33%
carbon
33%
symmetry
33%
strains
33%
speed
33%
alloys
33%
silicon
33%
junctions
33%
hole mobility
33%
mosfet
33%
boron
33%
electron mobility
33%
Physics
Substrates
100%
Field Effect Transistor
100%
Symmetry
33%
Speed
33%
Alloy
33%
Dimensions
33%
Silicon
33%
Calculation
33%
Electrons
33%
Boron
33%
Material Science
Devices
100%
Field Effect Transistor
100%
Strain
33%
Alloy
33%
Silicon
33%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
33%
Hole Mobility
33%
Boron
33%
Electron Mobility
33%
Theoretical Calculation
33%
Engineering
Driving Speed
33%
Drain Junction
33%