Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering

M. H. Lee*, S. T. Chang, S. W. Lee, P. S. Chen, K. W. Shen, W. C. Wang

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

3 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering」主題。共同形成了獨特的指紋。

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