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Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering

  • M. H. Lee*
  • , S. T. Chang
  • , S. W. Lee
  • , P. S. Chen
  • , K. W. Shen
  • , W. C. Wang
  • *此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

3   !!Link opens in a new tab 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Strained-Si with carbon incorporation for MOSFET source/drain engineering」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式

INIS

Engineering

Material Science