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Strained CMOS technology with Ge
P. S. Chen
*
,
M. H. Lee
, S. W. Lee, C. W. Liu, M. J. Tsai
*
此作品的通信作者
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Strained CMOS technology with Ge」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Quantum Well
100%
Devices
75%
Strain
50%
Nanocrystalline Material
50%
Control Component
50%
Film
25%
Density
25%
Hole Mobility
25%
Dislocation
25%
Buffer Layer
25%
Epilayers
25%
Electron Mobility
25%
Schottky Barrier
25%
Quantum Dot
25%
Nucleation
25%
INIS
germanium silicides
100%
devices
50%
quantum wells
40%
control
20%
layers
20%
nanostructures
20%
strains
20%
dislocations
20%
buffers
20%
transport
10%
applications
10%
films
10%
density
10%
engineering
10%
barriers
10%
growth
10%
nucleation
10%
substrates
10%
relaxation
10%
speed
10%
quantum dots
10%
thickness
10%
silicon carbides
10%
hole mobility
10%
shrinkage
10%
electron mobility
10%
Engineering
Misfit Dislocation
25%
Dislocation Density
25%