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Strained CMOS technology with Ge
P. S. Chen
*
,
M. H. Lee
, S. W. Lee, C. W. Liu, M. J. Tsai
*
此作品的通信作者
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Strained CMOS technology with Ge」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Semiconductor quantum wells
100%
Nanostructures
39%
Epilayers
27%
Hole mobility
26%
Dislocations (crystals)
25%
Electron mobility
25%
Buffer layers
22%
Nucleation
16%
Relaxation
14%
Substrates
11%