Steep switching of In0.18 Al0.82 N/AlN/GaN MIS-HEMT (metal insulator semiconductor high electron mobility transistors) on si for sensor applications

Pin Guang Chen, Kuan Ting Chen, Ming Tang, Zheng Ying Wang, Yu Chen Chou, Min Hung Lee*

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

3 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Steep switching of In0.18 Al0.82 N/AlN/GaN MIS-HEMT (metal insulator semiconductor high electron mobility transistors) on si for sensor applications」主題。共同形成了獨特的指紋。

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Material Science

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