Single-electron transistor using self-aligned sidewall spacer gates on silicon-on-insulator nanowire

  • S. F. Hu*
  • , Y. C. Wu
  • , C. L. Sung
  • , C. Y. Chang
  • , T. Y. Huang
    • *此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章

2 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Single-electron transistor using self-aligned sidewall spacer gates on silicon-on-insulator nanowire」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Material Science

Chemical Engineering