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RTP temperature measurements using Si grating prepared by laser ablation for large diameter wafer applications
C. W. Liu
*
,
M. H. Lee
, C. Y. Chao, C. Y. Chen, C. C. Yang, Y. Chang
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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會議論文
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「RTP temperature measurements using Si grating prepared by laser ablation for large diameter wafer applications」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
applications
100%
lasers
100%
gratings
100%
ablation
100%
temperature measurement
100%
sensitivity
37%
interference
25%
etching
25%
beams
25%
production
12%
resolution
12%
power
12%
optimization
12%
temperature range 0273-0400 k
12%
wavelengths
12%
incidents
12%
light sources
12%
thermal expansion
12%
helium-neon lasers
12%
Physics
Temperature Measurement
100%
Diameters
100%
Laser Ablation
100%
Wafer
100%
Interference
50%
Etching
50%
Room Temperature
25%
Laser
25%
Light Sources
25%
Laser Beams
25%
Lithography
25%
Thermal Expansion
25%
High Power Lasers
25%
Material Science
Temperature
100%
Laser Ablation
100%
Laser
40%
Lithography
20%
Thermal Expansion
20%
Engineering
Large Diameter
100%
Grating Period
60%
Laser Beam Power
20%
Diffracted Beam
20%
Measurement Sensitivity
20%