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Residual strain analysis of In
x
Ga
1-
x
As/GaAs heteroepitaxial layers
V. Krishnamoorthy
*
, Y. W. Lin, L. Calhoun,
H. L. Liu
, R. M. Park
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
43
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Residual strain analysis of In
x
Ga
1-
x
As/GaAs heteroepitaxial layers」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
layers
100%
strains
100%
gallium arsenides
100%
relaxation
50%
thickness
50%
resolution
25%
x-ray diffraction
25%
Material Science
Epilayers
100%
Diffraction Measurement
16%