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p-Type tunneling field-effect transistors on (100)- and (110)-oriented Si substrates
Min Hung Lee
*
, Bin Fong Hsieh, Tong Han Wu, Shu Tong Chang
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
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同行評審
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指紋
指紋
深入研究「p-Type tunneling field-effect transistors on (100)- and (110)-oriented Si substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
substrates
100%
tunneling
100%
field effect transistors
100%
orientation
50%
dielectrics
33%
comparative evaluations
16%
ions
16%
layers
16%
crystallization
16%
stacks
16%
metals
16%
junctions
16%
effective mass
16%
Engineering
Tunneling
100%
Field-Effect Transistor
100%
Si Substrate
100%
Si Wafer
33%
High Quality
16%
Dielectrics
16%
Determines
16%
Dielectric Layer
16%
Gate Stack
16%
Metal Gate
16%
Obtains
16%
Effective Mass
16%
High Band
16%
Physics
Substrates
100%
Field Effect Transistor
100%
Dielectrics
40%
Wafer
40%
Metal
20%
Crystallization
20%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Dielectric Material
40%
Electrical Property
20%
Metal
20%
Crystallization
20%