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P-type tunneling FET on Si (110) substrate with anisotropic effect
M. H. Lee
, C. Y. Kao, C. L. Yang, C. H. Lee
光電工程學士學位學程
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「P-type tunneling FET on Si (110) substrate with anisotropic effect」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Metal
25%
Switch
12%
Dielectric Material
12%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
12%
Engineering
Anisotropic Effect
100%
Reverse Bias
10%
Earth and Planetary Sciences
Thermionic Emission
50%
Physics
Thermionic Emission
50%
INIS
thermionic emission
10%