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Optimization of BiFeO
3
MFIS capacitors doped niobium by using Taguchi method
K. C. Lin, C. H. Ko,
M. J. Twu
, P. C. Juan, H. Sekiguchi, C. H. Chou
機電工程學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
總覽
指紋
指紋
深入研究「Optimization of BiFeO
3
MFIS capacitors doped niobium by using Taguchi method」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Physics
Optimization
100%
Capacitor
100%
Taguchi Methods
100%
Niobium
100%
Ion
50%
Memory
50%
Annealing
25%
Performance
12%
Ratios
12%
Insulators
12%
Oxygen
12%
Metal
12%
Semiconductor
12%
Ferroelectricity
12%
Material Science
Capacitor
100%
Taguchi Method
100%
Niobium
100%
Annealing
33%
Iron Ion
33%
Niobium Ion
33%
Oxygen Vacancy
16%
Metal
16%
Ferroelectric Material
16%
Semiconductor Material
16%
Bismuth Ferrite
16%
Signal-to-Noise Ratio
16%
Medicine and Dentistry
Niobium
100%
Argon
12%
INIS
niobium ions
33%