Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

S. T. Chang*, Y. H. Liu, M. H. Lee, S. C. Lu, M. J. Tsai

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

3 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Engineering