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Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs
S. T. Chang
*
, Y. H. Liu,
M. H. Lee
, S. C. Lu, M. J. Tsai
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
budgets
33%
comparative evaluations
33%
concentration dependence
33%
design
100%
dislocations
33%
electric fields
33%
electron mobility
33%
energy balance
33%
germanium silicides
100%
junctions
66%
monte carlo method
33%
saturation
66%
simulation
66%
strains
33%
velocity
66%
yields
33%
Engineering
Base Transit Time
100%