跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立臺灣師範大學 首頁
專家資料申請/更新
English
中文
首頁
個人檔案
研究單位
研究成果
研究計畫
新聞/媒體
資料集
學術活動
得獎記錄
學生論文
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Optical properties of Si-doped GaN films
H. C. Yang
*
, T. Y. Lin, M. Y. Huang, Y. F. Chen
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
›
期刊論文
›
同行評審
21
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Optical properties of Si-doped GaN films」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Chemistry
Gallium
100%
Doping
100%
Photoluminescence
100%
Band Gap
100%
Liquid Film
100%
Luminiscence Type
100%
Impurity
100%
Photoluminescence Spectrum
100%
Optical Property
100%
Buffer Solution
100%
Doping Material
100%
Fluctuation
100%
Linewidth
100%
INIS
films
100%
gallium nitrides
100%
doped materials
100%
optical properties
100%
emission
66%
photoluminescence
66%
defects
66%
increasing
33%
origin
33%
layers
33%
investigations
33%
fluctuations
33%
interfaces
33%
spectra
33%
gallium
33%
vacancies
33%
luminescence
33%
impurities
33%
buffers
33%
line widths
33%
Physics
Sides
100%
Optical Properties
100%
Photoluminescence
66%
Emission
66%
Variations
33%
Spectra
33%
Gaps
33%
Increasing
33%
Impurities
33%
Luminescence
33%
Gallium
33%
Material Science
Photoluminescence
100%
Optical Property
100%
Doping (Additives)
50%
Luminescence
50%
Buffer Layer
50%
Impurity
50%
Epilayers
50%