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Optical characterization of InGaAsN/GaAsN/GaAs quantum wells with InGaP cladding layers
C. R. Lu
*
,
H. L. Liu
, J. R. Lee, C. H. Wu, H. H. Lin, L. W. Sung
*
此作品的通信作者
物理學系
研究成果
:
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期刊論文
›
同行評審
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Optical characterization of InGaAsN/GaAsN/GaAs quantum wells with InGaP cladding layers」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Optical transitions
100%
Semiconductor quantum wells
74%
Energy gap
53%
Electric space charge
31%
Optical properties
29%
Temperature
9%
Chemical Compounds
Cladding
61%
Subband
34%
Optical Transition
32%
Energy
22%
Interband Transition
18%
Band Offset
18%
Band Gap
17%
Effective Mass
16%
Space Charge
15%
Optical Property
8%
Strain
8%
Physics & Astronomy
quantum wells
36%
characterization
26%
optical transition
24%
space charge
10%
optical properties
7%
energy
7%
matrices
6%
temperature
3%