摘要
金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。
原文 | 繁體中文 |
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頁(從 - 到) | 22-27 |
頁數 | 6 |
期刊 | 真空科技 |
卷 | 25 |
發行號 | 3 |
DOIs | |
出版狀態 | 已發佈 - 2012 |
Keywords
- 二氧化矽/氮化矽/二氧化矽
- 側壁
- 應力
- 接觸窗蝕刻停止層
- Oxide-Nitride-Oxide
- Spacer
- Stress
- CESL (Contact Etch Stop Layer)