ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析

楊 煌偉(Huang-Wei Yang), 鄧 榮皓(Rong-Hou Deng), 蔡 旻琦(Ming-Chi Tsai), 屠 名正(Ming-Jenq Twu), 劉 傳璽(Chuan-Hsi Liu)

研究成果: 雜誌貢獻文章同行評審

摘要

金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。
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頁(從 - 到)22-27
頁數6
期刊真空科技
25
發行號3
DOIs
出版狀態已發佈 - 2012

Keywords

  • 二氧化矽/氮化矽/二氧化矽
  • 側壁
  • 應力
  • 接觸窗蝕刻停止層
  • Oxide-Nitride-Oxide
  • Spacer
  • Stress
  • CESL (Contact Etch Stop Layer)

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