On the kinetics of growth of highly defective GaN epilayers and the origin of the deep trap responsible for yellow-band luminescence
- H. Liu*
- , J. G. Kim
- , M. H. Ludwig
- , R. M. Park
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）