Novel ultra-low power RRAM with good endurance and retention

C. H. Cheng, Albert Chin, F. S. Yeh

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

74 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

We report high performance RRAM of ultra-low 4 μW set power (-3.5 μA at -1.1 V), 16 pW reset power (0.12 nA at 0.13 V), large extrapolated 10-year on/off retention window of 4×105 at 85°C, good 106 cycling endurance and fast 50 ns switching for the first time. These were achieved using novel covalent-bond-dielectric/metal-oxide and low cost electrodes.

原文英語
主出版物標題2010 Symposium on VLSI Technology, VLSIT 2010
頁面85-86
頁數2
DOIs
出版狀態已發佈 - 2010 十月 19
事件2010 Symposium on VLSI Technology, VLSIT 2010 - Honolulu, HI, 美国
持續時間: 2010 六月 152010 六月 17

出版系列

名字Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
ISSN(列印)0743-1562

其他

其他2010 Symposium on VLSI Technology, VLSIT 2010
國家/地區美国
城市Honolulu, HI
期間2010/06/152010/06/17

ASJC Scopus subject areas

  • 電氣與電子工程

指紋

深入研究「Novel ultra-low power RRAM with good endurance and retention」主題。共同形成了獨特的指紋。

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