Novel schottky barrier strained germanium PMOS

C. Y. Peng, F. Yuan, M. H. Lee, C. Y. Yu, S. Maikap, M. H. Liao, S. T. Chang, C. W. Liu

研究成果: 書貢獻/報告類型會議貢獻

2 引文 斯高帕斯(Scopus)
原文英語
主出版物標題2005 International Semiconductor Device Research Symposium
頁面84-85
頁數2
出版狀態已發佈 - 2005 十二月 1
事件2005 International Semiconductor Device Research Symposium - Bethesda, MD, 美国
持續時間: 2005 十二月 72005 十二月 9

出版系列

名字2005 International Semiconductor Device Research Symposium
2005

其他

其他2005 International Semiconductor Device Research Symposium
國家美国
城市Bethesda, MD
期間05/12/705/12/9

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引用此

Peng, C. Y., Yuan, F., Lee, M. H., Yu, C. Y., Maikap, S., Liao, M. H., ... Liu, C. W. (2005). Novel schottky barrier strained germanium PMOS. 於 2005 International Semiconductor Device Research Symposium (頁 84-85). [1595989] (2005 International Semiconductor Device Research Symposium; 卷 2005).