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Novel Opposite Polarity Cycling Recovery (OPCR) of HfZrO2Antiferroelectric-RAM with an Access Scheme Toward Unlimited Endurance

  • K. Y. Hsiang*
  • , Y. C. Chen
  • , F. S. Chang
  • , C. Y. Lin
  • , C. Y. Liao
  • , Z. F. Lou
  • , J. Y. Lee
  • , W. C. Ray
  • , Z. X. Li
  • , C. C. Wang
  • , H. C. Tseng
  • , P. H. Chen
  • , J. H. Tsai
  • , M. H. Liao
  • , T. H. Hou
  • , C. W. Liu
  • , P. T. Huang
  • , P. Su
  • , M. H. Lee
  • *此作品的通信作者

研究成果: 書貢獻/報告類型會議論文篇章

19   連結會在新分頁中打開 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Novel Opposite Polarity Cycling Recovery (OPCR) of HfZrO2Antiferroelectric-RAM with an Access Scheme Toward Unlimited Endurance」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式

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Engineering

Material Science