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Novel methods to incorporate deuterium in the MOS structures
M. H. Lee
*
, C. H. Lin, C. W. Liu
*
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研究成果
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期刊論文
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同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Novel methods to incorporate deuterium in the MOS structures」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Deuterium
100%
Oxides
39%
Interface states
17%
Vacuum
10%
Oxidation
10%
Hot Temperature
5%
Chemical Compounds
Deuterium(.)
63%
Oxide
18%
Interface State
17%
Vacuum
9%
Oxidation Reaction
5%
Reaction Yield
4%