Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf0.5Zr0.5O2 with High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications

K. T. Chen, H. Y. Chen, C. Y. Liao, G. Y. Siang, C. Lo, M. H. Liao, K. S. Li, S. T. Chang, M. H. Lee*

*此作品的通信作者

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57 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Non-Volatile Ferroelectric FETs Using 5-nm Hf0.5Zr0.5O2 with High Data Retention and Read Endurance for 1T Memory Applications」主題。共同形成了獨特的指紋。

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