Nickel Schottky junction on epi-Ge for strained Ge metal-oxide- semiconductor field-effect transistors source/drain engineering

M. H. Lee*, B. F. Hsieh, S. T. Chang, S. W. Lee

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

3 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Nickel Schottky junction on epi-Ge for strained Ge metal-oxide- semiconductor field-effect transistors source/drain engineering」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Physics

Material Science