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Nickel Schottky junction on epi-Ge for strained Ge metal-oxide- semiconductor field-effect transistors source/drain engineering
M. H. Lee
*
, B. F. Hsieh, S. T. Chang, S. W. Lee
*
此作品的通信作者
光電工程學士學位學程
研究成果
:
雜誌貢獻
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期刊論文
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同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Nickel Schottky junction on epi-Ge for strained Ge metal-oxide- semiconductor field-effect transistors source/drain engineering」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
engineering
100%
annealing
100%
oxides
100%
nickel
100%
metals
100%
semiconductor materials
100%
field effect transistors
100%
junctions
100%
interfaces
66%
lasers
66%
height
33%
concentration
33%
applications
33%
density
33%
barriers
33%
nanostructures
33%
fabrication
33%
traps
33%
germanium silicides
33%
Physics
Metal Oxide Semiconductor
100%
Field Effect Transistor
100%
Laser Annealing
100%
Nickel
100%
Technology
50%
Nanoscale
50%
Annealing
50%
Fabrication
50%
Material Science
Nickel
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Laser
100%
Density
50%
Annealing
50%
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Device
50%