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New experimental findings on SILC and SBD of ultra-thin gate oxides
M. G. Chen
*
,
Chuan H. Liu
, Ming T. Lee, K. Y. Fu
*
此作品的通信作者
研究成果
:
會議貢獻類型
›
會議論文
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「New experimental findings on SILC and SBD of ultra-thin gate oxides」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
breakdown
100%
oxides
100%
leakage current
100%
traps
100%
tunneling
75%
electrons
50%
valence
25%
annealing
25%
carriers
25%
Physics
Oxide
100%
Electrons
100%
Valence
50%
Conduction Band
50%
Mathematics
Valence Band
100%
Conduction Band
100%
Material Science
Oxide
100%
Chemistry
Separation Method
33%
Computer Science
Conduction Band
33%