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Negative differential resistance induced by sulfur vacancies in monolayer MoS2 transistors
Wen Hao Chang
, Chun I. Lu
, Tilo H. Yang
, Shu Ting Yang
, Kristan Bryan Simbulan
,
Ting Hua Lu
,
Yann Wen Lan
*
*
此作品的通信作者
物理學系
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
總覽
指紋
指紋
深入研究「Negative differential resistance induced by sulfur vacancies in monolayer MoS2 transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
vacancies
100%
transistors
100%
sulfur
100%
applications
50%
prediction
25%
simulation
25%
supply
25%
devices
25%
solutions
25%
temperature range 0273-0400 k
25%
irradiation
25%
defects
25%
fabrication
25%
potassium hydroxides
25%
chemical vapor deposition
25%
field effect transistors
25%
electric fields
25%
electron beams
25%
x-ray photoelectron spectroscopy
25%
Material Science
Transistor
100%
Monolayers
100%
Sulfur Vacancies
100%
Field Effect Transistor
20%
Two-Dimensional Material
20%
Chemical Vapor Deposition
20%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy
20%
Electron Beam Irradiation
20%