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NBTI mechanism explored on the back gate bias for pMOSFETs
M. G. Chen, J. S. Li, C. Jiang,
C. H. Liu
, K. C. Su, Y. H. Chang
研究成果
:
書貢獻/報告類型
›
會議論文篇章
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「NBTI mechanism explored on the back gate bias for pMOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
INIS
surfaces
100%
oxides
100%
holes
100%
concentration
50%
applications
50%
instability
50%
devices
50%
interfaces
50%
scaling
50%
charges
50%
substrates
50%
thickness
50%
reduction
50%
electric fields
50%
mos transistors
50%
Chemistry
Surface
100%
Oxide
100%
Application
50%
Reaction Temperature
50%
Thickness
50%
Hole Concentration
50%
Electric Field
50%
Interface State
50%
Engineering
Hot Hole Injection
50%
Material Science
Hole Concentration
50%