Nature of the 2.8-eV photoluminescence band in Si-doped GaN

H. C. Yang*, T. Y. Lin, Y. F. Chen

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

83 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Nature of the 2.8-eV photoluminescence band in Si-doped GaN」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Physics

Chemistry