Multibit Ferroelectric FET Based on Nonidentical Double HfZrO2for High-Density Nonvolatile Memory

C. Y. Liao, K. Y. Hsiang, F. C. Hsieh, S. H. Chiang, S. H. Chang, J. H. Liu, C. F. Lou, C. Y. Lin, T. C. Chen, C. S. Chang, M. H. Lee*

*此作品的通信作者

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24 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Multibit Ferroelectric FET Based on Nonidentical Double HfZrO2for High-Density Nonvolatile Memory」主題。共同形成了獨特的指紋。

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