Multibit Ferroelectric FET Based on Nonidentical Double HfZrO2for High-Density Nonvolatile Memory
- C. Y. Liao
- , K. Y. Hsiang
- , F. C. Hsieh
- , S. H. Chiang
- , S. H. Chang
- , J. H. Liu
- , C. F. Lou
- , C. Y. Lin
- , T. C. Chen
- , C. S. Chang
- , M. H. Lee*
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）