Modified growth of Ge quantum dots using C 2 H 4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

S. W. Lee*, P. S. Chen, S. L. Cheng, M. H. Lee, H. T. Chang, C. H. Lee, C. W. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

2 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Modified growth of Ge quantum dots using C 2 H 4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Physics

Material Science