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Magnetotransport in Gd-implanted wurtzite GaN Alx Ga1-x N high electron mobility transistor structures
F. Y. Lo
*
, A. Melnikov, D. Reuter, Y. Cordier, A. D. Wieck
*
此作品的通信作者
研究成果
:
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期刊論文
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同行評審
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Magnetotransport in Gd-implanted wurtzite GaN Alx Ga1-x N high electron mobility transistor structures」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Gas
100%
Transistor
100%
Electron Mobility
100%
Surface
50%
Temperature
50%
Focused Ion Beam
50%
Semiconductor Material
50%
Heterojunction
50%
Current Voltage Characteristics
50%
Anisotropic Magnetoresistance
50%
INIS
electron gas
100%
Physics
Electron Gas
100%