Low-threshold-voltage TaN/LaTiO n-MOSFETs with small EOT

S. H. Lin*, C. H. Cheng, W. Barn Chen, F. Syeh Yeh, Albert Chin

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

10 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

In this letter, we report a low threshold voltage (Vt) of 0.12 V in self-aligned gate-first TaN/LaTiO n-MOSFETs, at an equivalent oxide thickness of only 0.63 nm. This was achieved by using Ni-induced solid-phase diffusion of SiO2-covered Ni/Sb that reduced the high-κ dielectric interfacial reactions.

原文英語
頁(從 - 到)999-1001
頁數3
期刊IEEE Electron Device Letters
30
發行號9
DOIs
出版狀態已發佈 - 2009

ASJC Scopus subject areas

  • 電子、光磁材料
  • 電氣與電子工程

指紋

深入研究「Low-threshold-voltage TaN/LaTiO n-MOSFETs with small EOT」主題。共同形成了獨特的指紋。

引用此