Low-threshold-voltage TaN/Ir/LaTiO p-MOSFETs incorporating low-temperature-formed shallow junctions
S. H. Lin*, C. H. Cheng, W. B. Chen, F. S. Yeh, Albert Chin
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）