Low power resistive random access memory using interface-engineered dielectric stack of SiOx/a-Si/TiOy with 1D1R-like structure
- Chun Hu Cheng*
- , K. I. Chou
- , Zhi Wei Zheng
- , Hsiao Hsuan Hsu
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）