Long-endurance nanocrystal TIO2 resistive memory using a TaON buffer layer

C. H. Cheng, P. C. Chen, Y. H. Wu, F. S. Yeh, Albert Chin*

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻期刊論文同行評審

27 引文 斯高帕斯(Scopus)

摘要

Using nanocrystal (nc) TiO2 and TaON buffer layer, the Ni/GeOx/nc-TiO2/TaON/TaN} resistive random access memory (RRAM) showed forming-free resistive switching, self-compliance set/reset currents, excellent current distribution, low 0.7-pJ switching energy, and long 1010 cycling endurance. The very long endurance in this novel RRAM may create new applications beyond Flash memory.

原文英語
文章編號6058577
頁(從 - 到)1749-1751
頁數3
期刊IEEE Electron Device Letters
32
發行號12
DOIs
出版狀態已發佈 - 2011 十二月

ASJC Scopus subject areas

  • 電子、光磁材料
  • 電氣與電子工程

指紋

深入研究「Long-endurance nanocrystal TIO<sub>2</sub> resistive memory using a TaON buffer layer」主題。共同形成了獨特的指紋。

引用此