Leakage current mechanism and effect of Y2O3 doped with Zr high-K gate dielectrics

K. C. Lin, P. C. Juan, C. H. Liu, M. C. Wang, C. H. Chou

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

6 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Leakage current mechanism and effect of Y2O3 doped with Zr high-K gate dielectrics」主題。共同形成了獨特的指紋。

Material Science

INIS

Physics

Chemistry