Leakage current conduction behaviors of 0.65 nm equivalent-oxide-thickness HfZrLaO gate dielectrics

K. C. Lin*, J. Y. Chen, H. W. Hsu, H. W. Chen, C. H. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審

11 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Leakage current conduction behaviors of 0.65 nm equivalent-oxide-thickness HfZrLaO gate dielectrics」主題。共同形成了獨特的指紋。

INIS

Engineering

Physics

Material Science