Investigation of gate-stress engineering in negative capacitance FETs using ferroelectric hafnium aluminum oxides
- Chun Hu Cheng*
- , Chia Chi Fan
- , Chien Liu
- , Hsiao Hsuan Hsu
- , Hsuan Han Chen
- , Chih Chieh Hsu
- , Shih An Wang
- , Chun Yen Chang
*此作品的通信作者
研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）